下面是一個(gè)基于N溝道MOSFET的反向保護(hù)電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源...下面是一個(gè)基于N溝道MOSFET的反向保護(hù)電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源的負(fù)極端。其中漏極D必須接到電源的負(fù)極。源極S必須連接到設(shè)備的地，柵極則必須連接...
MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-...MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；
FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個(gè)門，閥門，打開(kāi)...FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個(gè)門，閥門，打開(kāi)FET，電子就流動(dòng)，關(guān)上閥門，電子就不流動(dòng)。 漏極（Drain），電子流出FET；電子是負(fù)...
IO進(jìn)行控制：高電平轉(zhuǎn)動(dòng)，低電平停止。 IO口高電平時(shí)：三極管集電級(jí)和發(fā)射級(jí)導(dǎo)...IO進(jìn)行控制：高電平轉(zhuǎn)動(dòng)，低電平停止。 IO口高電平時(shí)：三極管集電級(jí)和發(fā)射級(jí)導(dǎo)通，電機(jī)能量來(lái)源于VCC輸入，足以滿足電機(jī)工作。
直流充電樁一般由通信模塊、開(kāi)關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中，MOSFET是開(kāi)關(guān)...直流充電樁一般由通信模塊、開(kāi)關(guān)電源模塊及控制模塊等構(gòu)成。其中，MOSFET是開(kāi)關(guān)電源模塊中最核心的部分，是實(shí)現(xiàn)電能高效率轉(zhuǎn)換，確保充電樁穩(wěn)定不過(guò)熱的關(guān)鍵器件。...
上圖是一個(gè)利用三極管D882搭建的電磁閥開(kāi)關(guān)電路，P25是一個(gè)24V驅(qū)動(dòng)的電磁閥 ，...上圖是一個(gè)利用三極管D882搭建的電磁閥開(kāi)關(guān)電路，P25是一個(gè)24V驅(qū)動(dòng)的電磁閥 ，此電磁閥驅(qū)動(dòng)功率為9W，由此可知當(dāng)三極管做開(kāi)關(guān)電路時(shí)，集電極所需電流Ic=9/24=0.37...
