在實(shí)際電路中多采用單相全波整流電路。在整個(gè)周期內(nèi)負(fù)載的電壓和電流方向始終不...在實(shí)際電路中多采用單相全波整流電路。在整個(gè)周期內(nèi)負(fù)載的電壓和電流方向始終不變，效率提高一倍。
圖中Q1為NMOS管，當(dāng)電源正接時(shí)，MOS管的體二極管導(dǎo)通，源極S的電壓為0.7V左右，...圖中Q1為NMOS管，當(dāng)電源正接時(shí)，MOS管的體二極管導(dǎo)通，源極S的電壓為0.7V左右，柵極G的電壓VBAT，則Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3)，當(dāng)選取合適的R3和R5值，使Vgs達(dá)到...
設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí)，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動(dòng)IC也從高邊...設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí)，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動(dòng)IC也從高邊取電，這里將產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅(qū)動(dòng)供電...
當(dāng)輸入端接正向電壓時(shí)，電流流過 PMOS 的體二極管到負(fù)載端，當(dāng)正向電壓高于 PM...當(dāng)輸入端接正向電壓時(shí)，電流流過 PMOS 的體二極管到負(fù)載端，當(dāng)正向電壓高于 PMOS 門限閾值電壓，則會(huì)導(dǎo)通溝道，PMOS 的 Vds 壓降降低，從而實(shí)現(xiàn)低損耗。
PMOS 用作電源開關(guān)，將負(fù)載與電源連接或斷開。在正確連接電源期間，MOSFET 由于...PMOS 用作電源開關(guān)，將負(fù)載與電源連接或斷開。在正確連接電源期間，MOSFET 由于正確的 VGS(柵極到源極電壓)而導(dǎo)通。但在反極性情況下，柵極到源極電壓太低而無法導(dǎo)...
到當(dāng)輸入電源斷開的瞬間，如果LDO的輸入電壓的下降速度遠(yuǎn)高于LDO的輸出電壓下降...到當(dāng)輸入電源斷開的瞬間，如果LDO的輸入電壓的下降速度遠(yuǎn)高于LDO的輸出電壓下降速度的時(shí)候，比如LDO輸出端有容性大負(fù)載時(shí)，很可能會(huì)出現(xiàn)輸出的電壓高于輸入電壓，...
