碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達(dá)1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)...碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達(dá)1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)器件。
KIA08TB60DD快恢復(fù)二極管開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和逆...KIA08TB60DD快恢復(fù)二極管開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和逆變器場(chǎng)景；反向恢復(fù)時(shí)間僅需25納秒（典型值）；高溫穩(wěn)定性結(jié)溫可達(dá)175℃，采用高溫玻...
步進(jìn)電機(jī)是將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移或線位移的開(kāi)環(huán)控制電機(jī)，又稱為脈沖電機(jī)。在非...步進(jìn)電機(jī)是將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移或線位移的開(kāi)環(huán)控制電機(jī)，又稱為脈沖電機(jī)。在非超載的情況下，電機(jī)的轉(zhuǎn)速、停止的位置只取決于脈沖信號(hào)的頻率和脈沖數(shù)，而不受負(fù)載...
CLCC是一種帶引腳的陶瓷芯片載體，屬于表面貼裝型封裝；特點(diǎn)是引腳從封裝的四個(gè)...CLCC是一種帶引腳的陶瓷芯片載體，屬于表面貼裝型封裝；特點(diǎn)是引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，形成丁字形結(jié)構(gòu)。CLCC封裝采用氧化鋁或氮化鋁陶瓷構(gòu)成基板框架，通過(guò)共晶...
KLD60R380B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流11A，采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生...KLD60R380B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流11A，采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)，導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.34Ω，低柵極電荷33nC，最大限度降低導(dǎo)通電阻、性能優(yōu)越；...
