pmos是低電壓開啟的，其導(dǎo)通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負(fù)值）...pmos是低電壓開啟的，其導(dǎo)通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負(fù)值），即柵極相對于源極為負(fù)電壓時導(dǎo)通。 pmos管的開通電壓為負(fù)值，通常在-5V至-10V范圍...
KNY2404A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，采用專有新型溝槽工藝制造，...KNY2404A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，采用專有新型溝槽工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷減少開關(guān)損耗，...
變頻電源是由整個電路構(gòu)成交流一直流一交流一濾波的變頻裝置。?變頻器通過整流...變頻電源是由整個電路構(gòu)成交流一直流一交流一濾波的變頻裝置。?變頻器通過整流、中間直流環(huán)節(jié)和逆變等過程，將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為頻率和電壓可調(diào)的交流電，從而實...
變頻器的逆變原理是通過脈寬調(diào)制（PWM）技術(shù)控制開關(guān)器件通斷時序，將直流電轉(zhuǎn)...變頻器的逆變原理是通過脈寬調(diào)制（PWM）技術(shù)控制開關(guān)器件通斷時序，將直流電轉(zhuǎn)換為頻率和電壓可調(diào)的交流電。
KCY2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流190A，采用SGT-MOSFET技術(shù)，專有新...KCY2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流190A，采用SGT-MOSFET技術(shù)，專有新型溝槽工藝制造，??極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損...
