這里介紹的兩種擊穿都是因為反向電流“過大”而擊穿的，分別是“齊納擊穿”和“...這里介紹的兩種擊穿都是因為反向電流“過大”而擊穿的，分別是“齊納擊穿”和“雪崩擊穿”。
PN結(jié)加正向電壓時，可以有較大的正向擴散電流，即呈現(xiàn)低電阻，我們稱PN結(jié)導(dǎo)通；...PN結(jié)加正向電壓時，可以有較大的正向擴散電流，即呈現(xiàn)低電阻，我們稱PN結(jié)導(dǎo)通；PN結(jié)加反向電壓時，只有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，我們稱PN結(jié)截止。這就是P...
MOS在逆變器應(yīng)用主要為前級升壓和后級逆變兩部分。前級升壓將電池電壓升至高壓...MOS在逆變器應(yīng)用主要為前級升壓和后級逆變兩部分。前級升壓將電池電壓升至高壓，后級逆變將高壓逆變成交流電。
KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進的技術(shù)經(jīng)...KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能和換向模式。這些器件非...
光刻步驟類似于圖案繪制的過程。而半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造，可以理解為是重復(fù)的堆疊和...光刻步驟類似于圖案繪制的過程。而半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造，可以理解為是重復(fù)的堆疊和切割。利用光刻工藝，在想要切割的位置繪制圖案。
當(dāng)Vg從0V開始上升的時候，p襯底中的多子空穴會被趕離柵區(qū)從而留下負電荷（空穴...當(dāng)Vg從0V開始上升的時候，p襯底中的多子空穴會被趕離柵區(qū)從而留下負電荷（空穴無法移動，實際上是電子的移動，電子從襯底被抽取上來，與p型半導(dǎo)體中的受主雜質(zhì)例如...
