如圖所示，Q9 柵極（G）通過(guò)100k電阻上拉到12V，源級(jí)（S）直接連接至12V電源側(cè)...如圖所示，Q9 柵極（G）通過(guò)100k電阻上拉到12V，源級(jí)（S）直接連接至12V電源側(cè)，漏極（D）連接到被控設(shè)備，被控設(shè)備兩端并聯(lián)二極管，用于關(guān)斷設(shè)備后，釋放被控設(shè)備...
1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設(shè)計(jì)時(shí)，需保證Vbe＞0.7V，這個(gè)是導(dǎo)通...1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設(shè)計(jì)時(shí)，需保證Vbe＞0.7V，這個(gè)是導(dǎo)通條件）；但三極管導(dǎo)通時(shí)Vbe= 0.7V左右
壓控：是指電壓作為控制信號(hào)，理想狀態(tài)下，對(duì)于MOS只要VGS的電壓滿足開啟要求(...壓控：是指電壓作為控制信號(hào)，理想狀態(tài)下，對(duì)于MOS只要VGS的電壓滿足開啟要求(Vth)，MOS管就導(dǎo)通
NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的...NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的KIA740H熱銷于逆變器后級(jí)電路應(yīng)用中，優(yōu)質(zhì)高效；KIA740H N溝道...KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的KIA740H熱銷于逆變器后級(jí)電路應(yīng)用中，優(yōu)質(zhì)高效；KIA740H N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換...
充電開始時(shí)，應(yīng)先檢測(cè)待充電電池的電壓，如果電壓低于3V，要先進(jìn)行預(yù)充電，充電...充電開始時(shí)，應(yīng)先檢測(cè)待充電電池的電壓，如果電壓低于3V，要先進(jìn)行預(yù)充電，充電電流為設(shè)定電流 的1/10，一般選0.05C左右。電壓升到3V后，進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)充電過(guò)程。
