在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。...在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開(kāi)關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開(kāi)關(guān)的通與斷不會(huì)影響其他開(kāi)關(guān)的通與斷，即開(kāi)關(guān)之間相互“獨(dú)...
本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長(zhǎng)比。是代表著溝道寬度W與溝道長(zhǎng)度L的比例。這...本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長(zhǎng)比。是代表著溝道寬度W與溝道長(zhǎng)度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個(gè)基本概念。溝道（channel）是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管中源區(qū)和漏區(qū)之...
導(dǎo)通功率損耗主要來(lái)源于功率電流在通態(tài)電阻Rds（（on）上產(chǎn)生的熱。 從公式來(lái)...導(dǎo)通功率損耗主要來(lái)源于功率電流在通態(tài)電阻Rds（（on）上產(chǎn)生的熱。 從公式來(lái)看，漏極電流IDS和溫度系數(shù)K不變的前提下，降低通態(tài)損耗的方式/只有降低通態(tài)電阻Rds...
放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)...放大電路的小信號(hào)分析主要考慮三個(gè)參數(shù)，放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗，這三個(gè)參數(shù)直接影響實(shí)際電路中的小信號(hào)放大倍數(shù)。
一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)...一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖圖1，這是一個(gè)MOSFET放大器的最基本電路。
產(chǎn)生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來(lái)加以控制。使反型層產(chǎn)生或...產(chǎn)生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來(lái)加以控制。使反型層產(chǎn)生或者消失時(shí)的柵極電壓就是器件的閾值電壓VT。對(duì)于增強(qiáng)型器件，該閾值電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓...
